ABSTRAK
TelahdilakukanpenelitiantentangkajianpengaruhpenggunaanlapisanZnO(Zincoxide )yangdidopingTi(IV)iso-propoxide(TTIP) sebagai lapisan penghalang rekombinasi.PenelitianinibertujuanuntukmengetahuipengaruhkonsentrasidopingTiterhadapstrkturkristal lapisan tipis ZnO, konduktivitas lapisan tipis ZnO dan pengaruh konsentrasi Ti terhadap performa kerja sel surya DSSC sebagai lapisan penerima elektron dan penghalang rekombinasi. Zinc acetate dehydrate, etanol PA dan Ti (IV) iso-propoxide dijadikan sebagai material dasar untuk ZnO dan Ti secara berturut-turut. Struktur kristal dikarakterisasi menggunakan XRD. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan terbentuknya polikristalin dengan struktur hexagonal.Ukuranbutiran Kristal dihitungmenggunakanpersamaan Debye-Schrrer.PenambahandopingTitidak memberikan pengaruh yang signifikan terhadap ukuran butiran Kristal lapisan tipis ZnO.Pengukuran resistansi menggunakan LCR meter.Dari hasil pengukuran diperoleh bahwa semakin tinggi konsentrasi doping maka resistansi yang dihasilkan juga semakin meningkat.Resistivitas yang dihasilkan masih cukup besar yaitu berkisar pada orde 10-2.Pengukuran I-V menunjukkan bahwa penambahan doping Ti mempengaruhi nilai Voc dan Jsc sel surya DSSC. Efisiensi tertinggi yang diperoleh yaitu 2,92% pada sampel C (2% Ti). Lapisan tipis TiZO belum terlalu efektif untuk diaplikasikan sebagai lapisan penghalang rekombinasi dalam sel surya DSSC karena resistivitas yang masih cukup besar.

Kata kunci : lapisan tipis TiZO, rekombinasi elektron, DSSC